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愛普DRAM方案 晶圓大廠愛


繼台積電及力積電相繼發表3D先進封裝技術後,武漢新芯日前亦發布3D先進封裝技術3DLink,三大晶圓代工廠的關鍵記憶體晶圓均採用愛普(6531)DRAM方案,將系統單晶片及客製化38奈米DRAM透過晶圓堆疊晶圓(WoW)製程結合。晶圓代工廠希望透過3D封裝技術提高頻寬,解決困擾人工智慧及高效能運算(AI/HPC)市場多年的范紐曼瓶頸(von Neumann bottleneck)。

愛普公告11月合併營收月增15.4%達3.21億元,較去年減少12.5%,累計前11個月合併營收31.38億元,約與去年同期持平,由於愛普已淡出DRAM顆粒銷售,營收能維持去年水準代表轉型成功。愛普已發表邏輯與DRAM的WoW堆疊技術,並命名為VHM(Versatile Heterogeneous Memory),商業模式在收取矽智財(IP)的授權金及權利金,包括提供3D堆疊客製化及相對應的邏輯介面IP。
現行的AI/HPC晶片雖然採用2.5D或3D封裝技術,將處理器及DRAM整合封裝在同一晶片中,但仍是採用處理器與DRAM分開的運算架構。處理器在執行推論或訓練等AI運算時,因為資料量過於龐大,處理器就算擁有極高的運算時脈,但DRAM的讀寫速率跟不上,加上處理器及DRAM之間傳輸速率寬頻不夠大,因而造成處理器算力閒置,形成范紐曼瓶頸。
晶圓代工廠近幾年開始透過3D先進封裝來解決AI/HPC運算架構中的范紐曼瓶頸難題,以台積電為例,除了利用小晶片(Chiplet)結構,也發展出CoWoS或SoIC等3DFabric先進封裝平台,將處理器及高頻寬記憶體(HBM)堆疊,同時開發出LIPINCON的傳輸技術,提高小晶片之間、處理器及記憶體之間的資料傳輸速率。同時,台積電與記憶體廠合作投入WoW技術開發,愛普已順利打進供應鏈。
力積電日前也宣布與愛普針對WoW技術進行合作,發展出邏輯IC和DRAM垂直異質疊合(Hybrid Bonding)製程,並共同研發下一代AI應用所需的新型DRAM架構。力積電表示透過此一技術突破,邏輯電路與DRAM之間的資料傳輸頻寬將達現行HBM的5倍以上。
武漢新芯日前宣布推出3DLink先進封裝平台,鎖定AI/HPC及飛時測距(ToF)等應用市場。而武漢新芯客戶發布採用WoW製程的邊緣運算HPC晶片,將40奈米SoC與38奈米客製化DRAM堆疊,大幅提升處理器及DRAM之間的資料傳輸頻寬,關鍵的DRAM晶圓也採用愛普方案。(新聞來源:工商時報─記者涂志豪/台北報導)