台積電N2遠勝英特爾18A 「SRAM密度差異」是關鍵
隨著現代設計對高密度SRAM位元單元需求的增加，SRAM單元的尺寸與密度成為新製程技術的重要指標。根據國際固態電路會議（ISSCC）2025年的預告，英特爾18A（1.8奈米級）製程的SRAM密度，明顯低於台積電N2（2奈米級），更接近台積電N3的水準。
編譯／莊閔棻
隨著現代設計對高密度SRAM位元單元需求的增加，SRAM單元的尺寸與密度成為新製程技術的重要指標。根據國際固態電路會議（ISSCC）2025年的預告，英特爾18A（1.8奈米級）製程的SRAM密度，明顯低於台積電N2（2奈米級），更接近台積電N3的水準。
SRAM密度與尺寸比較
SRAM（Static Random Access Memory）靜態隨機存取記憶體，每個位元使用六個電晶體組成，存取時間較短，製造成本較高，主要用作快取記憶體（Cache Memory），也常被叫做Cache RAM。
據報導，英特爾18A的高密度SRAM單元尺寸為0.021 µm²，對應的SRAM密度約為31.8 Mb/mm²，比英特爾4製程的0.024 µm²有顯著提升，但與台積電N3E和N5相近。而台積電N2則將SRAM單元尺寸縮小至0.0175 µm²，實現了38 Mb/mm²的密度，領先業界。
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實現SRAM密度突破
英特爾18A與台積電N2均採用環繞柵極（GAA）電晶體架構，但台積電在高密度SRAM單元縮小方面的進展更為顯著，與其採用鰭式場效電晶體（FinFET）的前代技術相比，更具優勢。然而，SRAM的另一項重要特性「功耗」，但目前尚無法比較兩者在這方面的表現。
BSPDN技術成亮點
值得注意的是，儘管現代晶片設計大量使用SRAM，但相較於SRAM密度，邏輯密度對製程的縮放性更為重要，但目前尚無法直接比較英特爾18A與台積電N2在邏輯密度上的表現，因為每種製程技術的高密度、高性能與低功耗庫各不相同，設計中通常會混合使用。
英特爾18A製程引入了GAA和晶背供電（BSPDN）兩大技術。BSPDN有助於提升電源供應效率，增強某些設計的效能表現，同時縮小晶片尺寸，提升邏輯密度。
SRAM密度縮放挑戰重重
由於SRAM設計的複雜性、穩定性與可靠性要求，以及更小節點的變異性增加，現代製程技術在縮小SRAM密度上面臨困難。因此，一些現代技術的SRAM單元尺寸可能比早期製程更大，這並不令人意外。
參考資料：Tom’s Hardware
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