中美晶化合物半導體聯盟成軍 (2020-08-13 先探投資週刊 文／林麗雪)

從５Ｇ通訊到車用，兩邊客戶都很積極，也都逼得很凶，市場需求已經都在這邊」，中美晶董事長徐秀蘭在取得宏捷科私募股權記者會中直言，這是整個集團近期在第三代化合物半導體布局火力全開的主因，其背後凸顯的，亦是國內矽基半導體廠，未來五到十年不容錯過的布局大計。

徐秀蘭口中的客戶，正是大家都想得到的國際大廠，據了解，包括今年二月攜手台積電合作開發氮化鎵元件的意法半導體，到傳出包下漢磊集團氮化鎵磊晶產能的英飛凌，都是推動中美晶集團必須在化合物半導體市場加速前進的重點客戶。

催生碳化矽第二供應商

「客戶非常高度期待跟鼓勵有Second Source出現，因為市場太過寡占」，環球晶發言人陳偉文口中的寡占廠，正是全球碳化矽基板市占超過六成的。

徐秀蘭說，化合物半導體後段製程的成熟度很高，但前段製程的二大困難，一個是貴、一個是少，SiC基板的供應量不足，市場因而尋求包括QST基板或SOI基板的替代可能性。

但在各類的基板中，SiC基板發展出來的半導體元件，能耐高溫、高壓外，還具有電阻小、電流大與低耗電等特性，在電動車及需要高頻傳輸的５Ｇ、甚至是６Ｇ基地台，SiC基板的導入還是最被期待的。

但像SiC這麼重要的技術，「全球真正在做的只有二家，真的做得好的也只有Cree一家」，宏捷科董事長祁幼銘不諱言地說，化合物功率元件半導體市場要起飛，就是基板跟磊晶要齊全。

瓶頸在基板，但從碳化矽的材料特性及長晶製程技術來看，短期也是急不得。由於碳化矽材料的硬度極高，一般需要在二千度以上、甚至是高達二六○○度的高溫下才能生產，相較於矽晶的生長環境只要在一五○○度，碳化矽長晶的難度就高出不少。

長晶及量產難度高

再者，包括矽晶基板及ＬＥＤ用的藍寶石基板，用的都是液相拉晶法，但碳化矽的長晶技術包含氣相沉積法與高溫昇華法，兩者的工作溫度都需要二六○○度以上外，氣體又比液體難以控制，加上碳化矽長晶的困難點還包括石墨坩鍋無法即時觀察晶體生產狀況，要生長出大尺寸、無缺陷、全區皆為同一晶態，則需要非常精確的熱場控制及材料配合才行，單長晶的技術門檻相較於傳統的矽及藍寶石就高出許多。

先天材料的量產難度就高，產出自然也少及慢。一般而言，六吋矽晶棒的長晶需要一天，八吋的矽晶棒則需要二天半，但碳化矽單長晶的時間，就需要七到十天，且生成的高度可能僅有幾釐到幾吋，和矽晶棒可達一～二公尺又有極大的落差，碳化矽從拉晶、長晶製程就已受限，後續的加工製程又因為硬度高而導致生產相對困難，自然整體應用也就無法在短期內加速且大規模普及，基板自然也就有其貴的道理。

這也是為何祁幼銘會說，全球真正做得好的碳化矽基板廠家只有Cree一家，Cree的寡占優勢也讓它得以「坐地起價」，一片六吋的碳化矽基板價格高達一千美元甚至數千美元，都還供不應求，相對於六吋的矽基板不過一百多美元，前段的碳化矽基板價格高不可攀，也讓市場無法快速打開。業者估計，碳化矽基板產能要廣泛普及，少說要三、五年以上，才能讓價格降低到可接受的水準。(全文未完)

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