記憶體價格狂飆衝擊手機市場 DRAM、NAND成本壓力爆增 (2026-01-13 14:27:48)

根據研究機構 Omdia 與產業消息指出，受記憶體供應吃緊影響，行動裝置用 LPDDR DRAM 價格已較前期上漲超過 70%，NAND Flash 儲存成本更翻倍成長。此趨勢正快速反映在智慧型手機的物料成本（BoM）上，預估 2026 年整體 BoM 將年增約 25%，成為近年罕見的大幅上修。

科技媒體《Wccftech》報導指出，另一份由研究機構集邦科技（TrendForce） 所發布的分析顯示，記憶體在智慧型手機製造成本中的占比，已由過往的 10% 至 15%，明顯拉高至 20% 左右，顯示記憶體已成為影響終端產品定價的關鍵零組件之一。在成本壓力急遽上升的情況下，部分品牌正重新評估入門機型的硬體配置，不排除回歸 4GB RAM 等較低規格設計，以壓低售價、維持市場競爭力。

產業人士指出，這波記憶體漲價潮並非單一事件，而是長期供需錯置的結果。南韓三星電子共同執行長盧泰文（Roh Tae-moon）近日指出，由於 AI 需求激增，導致 DRAM（動態隨機存取記憶體）短缺，幾乎沒有企業能倖免，供應危機將影響手機、電視、家電等所有消費電子產品，甚至可能導致產品價格上漲。由此可知，即便是資本實力雄厚的科技巨頭，也被迫採取非常手段因應。

市場傳出，蘋果為確保 DRAM 與 NAND 供應，已加強與三星、SK hynix 的談判力道，甚至派遣高階主管長期駐點海外，顯示供應鏈緊張程度遠超以往。在記憶體之外，高階行動晶片的成本同樣持續墊高。分析預估，隨著 2 奈米製程 SoC 於今年陸續登場，新一代旗艦處理器單價可能突破 300 美元，相較前一代產品明顯上揚。在記憶體與晶片雙重壓力下，手機品牌勢必在規格取捨、毛利空間與售價策略之間做出艱難抉擇。

市場也注意到，並非所有科技公司都同樣暴露在記憶體短缺風險之中。全球AI晶片龍頭輝達先前透露，透過提前支付並鎖定產能的方式，成功確保 AI 相關記憶體供應；然而，產業觀察認為，這類大規模預付與囤貨行為，反而進一步加劇整體市場的供應緊縮，進而對消費性電子產品形成排擠效應。

多數研究機構預期，這波 DRAM 與 NAND 供應吃緊的狀況，短期內難以明顯緩解，最快恐延續至 2027 年第四季。在成本高檔盤旋的環境下，智慧型手機市場未來兩年可能出現售價上調、規格分化加劇的趨勢，消費者換機決策與品牌競爭版圖，勢將同步產生結構性變化。