韓國「朝鮮日報」旗下商業新聞網站Chosun Biz今天報導，韓國記憶體大廠SK海力士正強烈考慮讓其第7代高頻寬記憶體（HBM）HBM4E的邏輯裸晶片，以台積電3奈米製程為主要選項。
報導指出，SK海力士（SK Hynix）今年將開始量產的第6代HBM即HMB4，據稱在某些效能指標上落後主要對手、韓國的三星電子（Samsung Electronics）。
據業界消息人士今天說法，SK海力士計劃讓HBM4E內的「核心裸晶片」（core die）、即當中堆疊的DRAM（動態隨機存取記憶體）採用10奈米級第6代製程1c，並讓當中的邏輯裸晶片（logic die）採用台積電的3奈米製程。
報導表示，SK海力士今年供應給輝達（Nvidia）的HBM4，當中的核心晶片採用10奈米級第5代製程1b、邏輯晶片採台積電12奈米製程，反觀三星HBM4的核心晶片已採用1c製程、邏輯晶片採4奈米製程。
由於SK海力士吃下供應輝達HBM4的最大量訂單，因此據稱鞏固在這塊市場的龍頭地位，但也傳出在效能表現上被評為落後三星。有鑑於此，SK海力士似乎想在HBM4E戰場顛覆評價，而讓邏輯晶片採用3奈米製程。
HBM4若是以採用成熟製程來主打穩定性，HBM4E則藉由強調效能來搶占市場，主打在技術競賽中取得優勢。
包括輝達、超微（AMD）和Google（谷歌）等美國科技業巨擘都已表示，他們的下一代人工智慧（AI）晶片將採用HBM4E，暗示這型記憶體的競爭將進一步加劇。
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