力旺矽智財導入華邦電DRAM製程平台,量產倒數時報記者王逸芯台北報導 (2019-06-25 17:05:07)

力旺(3529)今(25)日宣布其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入華邦電(2344)25奈米DRAM製程平台,即將進入量產階段,有助於客戶在車用、工業、5G通訊等新的市場應用取得先機。
力旺業務發展中心副總何明洲表示,力旺的矽智財解決方案已成功地導入各類型的晶片應用,本次和華邦電合作,將力旺的NeoFuse導入25奈米DRAM製程,相信此項合作可使整體產品測試更加靈活,更有效率地提供符合高階客戶與應用需求的產品。

力旺NeoFuse矽智財使DRAM產品在封裝前的晶片測試及封裝後的產品測試均可進行修補,達到多次修補的目的,與傳統雷射調校相比,不僅降低調校成本與時間,並可使製造測試流程更加便利。尤其是在晶片封裝後仍可進行修補,大為提升多晶片封裝產品的生產良率。
力旺表示,可相容於DRAM製程平台的NeoFuse技術提供優於一般工作範圍的操作電壓區間,有利於客戶在產品設計上具備彈性並有效降低功耗;此外,NeoFuse的高編程良率,只需一次編程便可將資料成功寫入,可大幅降低操作的複雜性和測試成本。
此次對力旺與華邦此次的合作對雙方來說均是重要的里程碑,顯示其在創新技術上的持續努力與致力提供值得信賴、高品質解決方案的決心,除了現階段在25奈米DRAM製程的合作外,雙方更進一步進行NeoFuse在二代DRAM製程的開發計畫,預計在不久後即可完成佈建。
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