ASML：EUV曝光層將增加 6年支出估雙位數複合成長
半導體微影技術領導廠艾司摩爾（ASML）今天表示，至2030年前客戶可能增加製程中極紫外光（EUV）曝光層，預期2025年至2030年高階邏輯和記憶體晶片的6年EUV技術支出，年複合成長率將達2位數百分比水準。
ASML今天舉辦線上投資人會議，說明公司長期策略及全球市場和技術趨勢。總裁暨執行長福克（Christophe Fouquet）說，ASML有能力將EUV技術延伸到下一個10年，並擴展多功能的全方位微影產品組合，使ASML能夠充分貢獻和掌握人工智慧（AI）帶來的機會，並實現顯著的營收和獲利成長。
ASML表示，AI帶來的發展將是驅動整體社會生產力與創新的主要動力，並為半導體產業創造顯著商機，預期將推動2030年全球半導體銷售額突破1兆美元。
ASML預期，至2030年前，客戶可能增加製程中的EUV曝光層。ASML將持續提升EUV技術的成本效益，協助客戶在高階邏輯及記憶體晶片製程中，藉由使用EUV 0.33 NA和EUV 0.55 NA，改變成單次曝光。
ASML預估，2025年至2030年間高階邏輯和記憶體晶片中EUV微影技術的支出，年複合成長率將達2位數百分比水準。2030年ASML營收可望達440億至600億歐元，毛利率約56%至60%。
