SK海力士HBM4晶片採用台積電3奈米技術拚2025年量產

2024-12-06 13:43:43 科技島

根據半導體業界消息，全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士，將於2025年下半年採用台積電全球最先進的3奈米製程，為客戶定製HBM4晶片。該公司原本計畫在5奈米節點上生產第六代高帶頻寬記憶體HBM4，但隨後在主要客戶的要求下轉向3奈米技術。

編譯／莊閔棻

根據半導體業界消息，全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士，將於2025年下半年採用台積電全球最先進的3奈米製程。（圖／123RF）

HBM4樣品最快明年3月亮相

據報導，消息指出，SK海力士預計在2024年3月，展示基於3奈米基底晶片垂直堆疊的HBM4樣品。該技術相較於5奈米基底晶片，性能將提升20%至30%，為輝達和其他科技巨頭提供更高效能的記憶體解決方案。

為減少對中國市場的依賴， SK海力士證積極加強與輝達、Google和微軟等美國大科技公司的合作。近日美國再次升級對中國的半導體出口限制，包括限制高頻寬記憶體晶片出口。

目前，SK海力士在全球高頻寬記憶體晶片市場的占有率約為50%，主要產品供應給全球最大的AI晶片買家輝達，透過採用3奈米製程生產HBM4晶片，SK海力士將進一步拉開與三星的差距，後者計畫使用4奈米技術製造HBM4。

對於通用型HBM4與HBM4E晶片，SK海力士將採用12奈米製程技術，並與TSMC合作生產。值得注意的是，該公司在第五代HBM3E晶片的生產中，使用自有基底技術，而HBM4則完全依賴台積電的技術。

輝達執行長黃仁勳最近要求SK集團會長崔泰源，將12層HBM4晶片的供應時間提前六個月，從2026年初推進到2025年中，而SK海力士也正在加快HBM4的開發步伐，以滿足這一要求。

另一方面，特斯拉也已向三星和SK海力士，索取通用型HBM4樣品，並計畫在測試後選擇一家作為供應商，作為全球電動車領導者，特斯拉的選擇可能對高頻寬記憶體晶片市場格局產生重要影響。

參考資料：Ked Global

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