台積電(TSM.US)2納米製程技術性能較前代躍升15% 功耗降低30%
內媒報道，台積電(TSM.US)於IEEE國際電子器件會議(IEDM)上披露更多2納米(N1)製程技術的細節。N2製程在性能上較前代製程提升15%，功耗降低高達30%，能效顯著提升。
此外，得益於環繞式柵極(GAA)納米片晶體管和N2 NanoFlex技術的應用，晶體管密度也提高1.15倍。N2 NanoFlex技術允許製造商在最小的面積內集成不同的邏輯單元，進一步優化製程的性能。
據悉，N2製程晶圓的價格將比3納米製程高出10%以上。(jl/k)~
阿思達克財經新聞
網址: www.aastocks.com
