高頻寬記憶體晶片全面開戰！台積電聚氣揮拳有望扭轉賽局 (2024-05-20 09:40:00)

商傳媒｜記者許方達／綜合報導

AI浪潮席捲全球，在高速運算需求量大增下，高頻寬記憶體(HBM)供不應求，擁有相關技術的國際大廠無不繳出亮眼的財報展望；不過，先前三強鼎立的局面恐出現變數，而此影響關鍵正是全球半導體王者台積電。

綜合外媒報導指出，AI處理器的先進封裝關鍵、高頻寬記憶體（HBM），為各家先進技術的記憶體廠商發展重點，先進技術記憶體大廠包括美光、SK海力士以及三星，去年下半年向輝達送樣8層垂直堆疊HBM3E，包括美光、SK海力士都已獲得輝達驗證，惟有三星仍未通過。

其中一家韓媒《Alpha Biz》報導指出，台積電身為輝達的晶片製造與先進封裝主要合作對象，台積電也參與輝達驗證的關鍵環節，傳聞稱「採用台積電主要合作廠商SK海力士的驗證標準，三星的製程卻與其有所差異」；業內人士認為，三星只要驗證標準調整一下就能過關，而關鍵在於台積電願不願意改標準。

另一家韓媒《BusinessKorea》則分析，第三代HBM3 DRAM(HBM2E)價格從2023年以來已飛漲5倍，為了壓低成本，輝達執行長黃仁勳試圖讓三星、SK海力士持續競爭，並遲遲不敲定與三星的合約。

除此之外，台積電上週二(14日)在阿姆斯特丹舉行的歐洲技術研討會上，首度揭露第6代HBM4細節。台積電宣布正採用12奈米與5奈米製程，製造用於HBM4的基礎晶片，5奈米製程可被用來達成更高效能，該戰略即是依據客戶要求的效能，客製化HBM4。

由於HBM的製造是將DRAM晶片堆疊在作為基座的基礎(邏輯)晶片之上，然後將之垂直連結而成；一直到HBM3E，HBM的所有部份、包括基礎晶片，都是由三星、SK海力士等記憶體晶片大廠生產，然而從邏輯晶片與記憶體合併為一的HBM4開始，基礎晶片將是由半導體代工廠製造，這是因為如果基礎晶片採用先進製程，可以包含更多運算功能。

韓國媒體指出，在HBM4的發展上，台積電已宣布與輝達、SK海力士合作，組成「3方同盟」；在此基礎上，SK將取得台積電生產的基礎晶片，並將DRAM堆疊其上，SK也宣布將提早一年、於明(2025)年推出HBM4。隨著台積電鎖定HBM市場，三星逐漸升高戒備應戰；直到目前，HBM領域仍由記憶體廠制霸，而台積電有望成為第一家翻越HBM寡占高牆的半導體代工廠。