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[NOWnews今日新聞] 華邦電今（18）日在國立暨南大學舉辦家庭日活動，總經理陳沛銘表示，動態隨機存取記憶體（DRAM）市場供需出現結構性改變，DDR4市場短缺短期恐難以緩解，預期業績可望成長，獲利也將改善，2026年營收將挑戰新台幣1000億元大關，將創下歷史新高。
總經理陳沛銘表示，7月已感受到客戶需求回溫跡象，很多客戶開始洽談長時間訂單，並成功打進部分以前無法接觸的客戶。
陳沛銘表示，DRAM的3大供應商三星（Samsung）、SK海力士（Hynix）及美光（Micron）積極搶進高頻寬記憶體（HBM）及DDR5，無法回頭生產DDR4。雖然部分客戶會升級改採DDR5，不過，DDR4缺口短期恐難以緩解。
陳沛銘說，第三季編碼型快閃記憶體（NOR Flash）需求也順利好轉，產品價格調漲，預期明年NOR Flash可能短缺。
陳沛銘表示，第三季整體營運樂觀，第四季業績可望更上層樓，2026年營收將挑戰1000億元大關，創下歷史新高。
華邦電高雄廠目前月產能約1.5萬片、滿載可達2.7萬片，董事會將於本月底討論高雄廠新投資案，若順利通過，設備交期約9至12個月，最快明年第三至第四季可完成擴充。
雖然還未通過預算，但以公司上一季董事會通過Flash的擴產計劃來看，5千片在台中廠生產約花費6、70億元，而以DRAM來說，在高雄廠每5千片約要30-40億元，等於若明年擴產1萬片產能，資本支出會到百億以上。不過確切金額將等待董事會後公告。
技術上，華邦電16奈米製程進展順利，相較20奈米可提升晶粒產出30%至35%，目前已送樣驗證8GB產品，預計明年第一季末至第二季啟動量產，首波產品為8Gb DRAM。以DRAM投片週期約120天以上計算，屬高難度製程。
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