推最小節點DRAM晶片 SK海力士贏過三星洪嘉宏 (2024-08-30 16:25:00)





全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士,記憶體技術處理方面領先三星電子一步,開發首款第六代10 奈米(1c節點)16GB DDR5 DRAM晶片,是目前世界最小節點的記憶體晶片。


編譯/高晟鈞




全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士,記憶體技術處理方面領先三星電子一步,開發首款第六代10 奈米(1c節點)16GB DDR5 DRAM晶片,是目前世界最小節點的記憶體晶片。






全球第二大記憶體晶片製造商SK海力士,開發首款第六代10 奈米(1c節點)16GB DDR5 DRAM晶片。(圖/取自SK Hynix)



更好效能和更低能耗的1c DDR5




SK海力士所推出的1c DDR5在運轉速度方面比上一代提高了11%,而電源效率也提高了9%以上。在人工智慧進步所導致的功耗增加背景下,採用1c DDR5晶片預計可以幫助高效能資料中心降低高達30%的電力成本。。




10nm級DRAM技術的微縮製程難度逐代增加,但SK海力士憑藉其1b技術,透過提高設計完成度,成為業界首家克服技術限制的公司。




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SK海力士新產品成本競爭力提升




2023年5月,三星電子宣佈在業界首次成功量產1b奈米DRAM, SK海力士也迅速跟進。 根據《韓國中央日報》報道,三星今年稍早透露,將在今年底開始量產1c DRAM,但後續消息卻是石沉大海。




高頻寬記憶體(HBM)晶片是一組DRAM,可以實現更快的資料處理,是現今人工智慧競賽中的兵家必爭之地。因此實現更小處理節點DRAM 的SK海力士可謂是在各路好漢中拔得頭籌。




SK海力士的新產品在極紫外光(EUV)的某些製程中採用了新材料,同時優化了整體EUV應用工藝,與上一代產品相比,成本競爭力有所提高。1c DDR5預計將在今年開始量產。




資料來源:Interesting Engineering




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